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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：2024-03-12
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231262A
主分类号：H01L21/337
分类号：H01L21/337;H01L29/40;H01L29/808
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明提供一种超高压JFET器件及其制造方法，方法包括提供衬底，在衬底中形成漂移区、体区以及源漏区；在漂移区的场氧位置通过光刻定义出分段隔离槽，并通过刻蚀气体配比对隔离槽底部的角度进行调整；对隔离槽侧壁进行热氧化生长，然后进行氧化物淀积，并使用CMP工艺进行磨平，形成沟槽隔离区；依次淀积氧化层和多晶硅层，进行光刻刻蚀，刻蚀后，在沟槽隔离区之间以及在靠近漏区的沟槽隔离区上形成多晶硅，在体区上方形成栅极多晶硅，栅极多晶硅还延伸到离体区最近的沟槽隔离区的部分上方；淀积介电层并刻蚀形成接触孔；淀积金属填充接触孔并刻蚀形成场板结构。本发明通过新型的漂移区多晶硅结构设计，实现了器件性能及可靠性优化。
主权项：1.一种超高压JFET器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、提供衬底，在所述衬底中形成漂移区、体区以及源漏区，所述漂移区围住所述体区，将所述衬底与所述体区隔开；步骤二、在所述漂移区的场氧位置通过光刻定义出分段隔离槽，并通过刻蚀气体配比对所述隔离槽底部的角度进行调整；步骤三、对所述隔离槽侧壁进行热氧化生长，然后进行氧化物淀积填充，并使用CMP工艺进行磨平，形成沟槽隔离区；步骤四、依次淀积氧化层和多晶硅层，采用光刻刻蚀工艺对所述氧化层和所述多晶硅层进行刻蚀，刻蚀后，在所述沟槽隔离区之间以及在靠近漏区的所述沟槽隔离区上形成多晶硅，在所述体区上方形成栅极多晶硅，所述栅极多晶硅还延伸到离所述体区最近的所述沟槽隔离区的部分上方；步骤五、淀积介电层并刻蚀形成接触孔；步骤六、淀积金属填充所述接触孔并刻蚀形成场板结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种超高压JFET器件及其制造方法
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