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申请/专利权人：苏州思立特尔半导体科技有限公司
申请日：2020-12-19
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN112506712B
主分类号：G06F11/14
分类号：G06F11/14
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2024.06.07#专利申请权的转移;2024.05.31#专利申请权的转移;2021.04.02#实质审查的生效;2021.03.16#公开
摘要：本发明公开了一种基于硬拷贝的MCU模拟EEPROM的数据保护方法，所述方法包括以下步骤：步骤S1：在Flash定义一段内存区域用于NVM数据的硬拷贝；步骤S2：上电初始化时先判断NVM的状态是否存在异常；步骤S21：判断NVM能否进行自恢复；步骤S3：判断NVM是否进行过写访问操作；步骤S4：判断NVM初始化数据和硬拷贝Flash数据是否一致；步骤S5：分别对NVM初始化数据和硬拷贝Flash数据进行CRC校验。本发明的基于硬拷贝的MCU模拟EEPROM的数据保护方法通过NVM和FLASH的配合使用，实现了将NVM数据硬拷贝到FLASH上，保证了在NVM出现异常后能恢复所需要的关键数据。
主权项：1.一种基于硬拷贝的MCU模拟EEPROM的数据保护方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：步骤S1：在Flash定义一段内存区域用于NVM数据的硬拷贝；步骤S2：上电初始化时先判断NVM的状态是否存在异常；若存在异常，则进入步骤S21；若不存在异常，则进入步骤S3；步骤S21：判断NVM能否进行自恢复；若能进行自恢复，则进入步骤S3；若不能进行自恢复，则需要对NVM进行擦除操作；步骤S3：判断NVM是否进行过写访问操作；若进行过写访问操作，则将NVM中的数据作为NVM的初始化数据；若没进行过写访问操作，则将硬拷贝Flash中的数据作为NVM的初始化数据；步骤S4：判断NVM初始化数据和硬拷贝Flash数据是否一致；若一致，则进入步骤S5；若不一致，则进入步骤S41；步骤S41：擦除硬拷贝Flash中的数据，并将NVM初始化数据拷贝到硬拷贝Flash中；步骤S5：分别对NVM初始化数据和硬拷贝Flash数据进行CRC校验；若校验通过，则结束；若校验不通过，则进入步骤S41。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州思立特尔半导体科技有限公司 一种基于硬拷贝的MCU模拟EEPROM的数据保护方法
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