龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日：2024-03-22
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118239787A
主分类号：C04B35/596
分类号：C04B35/596;C04B35/622;C04B35/80;C04B35/81;C04B35/634;C04B35/64;B24B37/04;B24B37/08;B24B37/34
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体为一种研磨的氮化硅瓷片。该氮化硅瓷片的制备包括以下制备步骤：步骤一：将α‑氮化硅、改性增韧材料、烧结助剂加入到溶剂内，球磨混合均匀，得到分散液；步骤二：1将分散液离心，过滤出沉淀物，经干燥、研磨、过筛，得到粉料；2将粉料置于模具中，压制成型，保温一段时间后，得到氮化硅陶瓷坯体；步骤三：将氮化硅陶瓷坯体进行微波烧结，得到氮化硅陶瓷；步骤四：对氮化硅陶瓷依次进行一次双面研磨、返烧、二次双面研磨，得到氮化硅瓷片。该氮化硅瓷片表面缺陷少、厚薄均匀、翘曲度低、热导率高、剥离强度大，在半导体领域中具有更广泛的应用。
主权项：1.一种研磨的氮化硅瓷片，其特征在于：所述氮化硅瓷片的制备包括以下制备步骤：步骤一：将α-氮化硅、改性增韧材料、烧结助剂加入到溶剂内，以100～500rmin的转速，球磨混合24～72h，得到分散液；步骤二：1将分散液离心，过滤出沉淀物，再将其加热至80～100℃进行干燥，经研磨、过筛，得到粉料；2将粉料置于模具中，在100～200MPa的压力下压制成型，于400～600℃下保温1～3h，得到氮化硅陶瓷坯体；步骤三：将氮化硅陶瓷坯体进行微波烧结，得到氮化硅陶瓷；步骤四：对氮化硅陶瓷依次进行一次双面研磨、返烧、二次双面研磨，得到氮化硅瓷片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司 一种研磨的氮化硅瓷片
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号