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申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日：2018-07-26
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248744A
主分类号：H01L29/786
分类号：H01L29/786;H01L29/423;H01L23/538;H01L29/417
优先权：["20170804 JP 2017-151446","20180220 JP 2018-027721"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括氧化物、位于氧化物上且彼此离开的第一导电体及第二导电体、位于第一导电体及第二导电体上且形成有重叠于第一导电体与第二导电体之间处的开口的第一绝缘体、位于开口中的第三导电体以及位于氧化物、第一导电体、第二导电体及第一绝缘体与第三导电体之间的第二绝缘体，该第二绝缘体在氧化物与第三导电体之间具有第一厚度并在第一导电体或第二导电体与第三导电体之间具有第二厚度，并且第一厚度比第二厚度小。
主权项：1.一种半导体装置，包括：氧化物；位于所述氧化物上且彼此离开的第一导电体及第二导电体；位于所述第一导电体及所述第二导电体上且形成有重叠于所述第一导电体与所述第二导电体之间处的开口的第一绝缘体；位于所述开口中的第三导电体；以及位于所述氧化物、所述第一导电体、所述第二导电体及所述第一绝缘体与所述第三导电体之间的第二绝缘体，其中，所述第二绝缘体在所述氧化物与所述第三导电体之间具有第一厚度并在所述第一导电体或所述第二导电体与所述第三导电体之间具有第二厚度，并且，所述第一厚度比所述第二厚度小。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及半导体装置的制造方法
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