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申请/专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司
申请日：2022-12-22
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248510A
主分类号：H01J37/32
分类号：H01J37/32;H01L21/67
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明涉及一种等离子体边缘刻蚀设备，包括等离子体处理腔室，位于所述等离子体处理腔室内且相对设置的上电极组件和下电极组件；升降装置，用于使所述上电极组件上下运动；所述上电极组件包括等离子区域定位板，其中，所述等离子区域定位板具有主体部和连接部，所述等离子区域定位板通过所述连接部与所述升降装置连接。本发明通过优化具有对准要求的等离子区域定位板与下电极组件之间的连接件，减少等离子区域定位板与下电极组件之间的尺寸链，避免尺寸链的误差累积，提高一次装配的精确度。
主权项：1.一种等离子体边缘刻蚀设备，其特征在于，包括：等离子体处理腔室；位于所述等离子体处理腔室内且相对设置的上电极组件和下电极组件；升降装置，用于使所述上电极组件上下运动；所述上电极组件包括等离子区域定位板，其中，所述等离子区域定位板具有主体部和连接部，所述等离子区域定位板通过所述连接部与所述升降装置固定安装。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体边缘刻蚀设备
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