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申请/专利权人：仁荷大学校产学协力团
申请日：2023-10-30
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118255652A
主分类号：C07C43/23
分类号：C07C43/23;H01L21/027;C07C41/03;C07F7/18
优先权：["20221227 KR 10-2022-0186255","20230908 US 18/463,646"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：提供了一种用于光刻的抗蚀剂化合物、用于形成该抗蚀剂化合物的方法以及使用该抗蚀剂化合物的用于制造半导体装置的方法。该抗蚀剂化合物由式1表示。这里，式1与说明书中所描述的相同。
主权项：1.一种光刻用抗蚀剂化合物，所述光刻用抗蚀剂化合物由下面的式1表示：式1 在式1中，R1和R5各自独立地为1个至4个碳原子的亚烷基，R2和R6各自独立地为单键或1个至4个碳原子的亚烷基，R3和R7各自独立地为1个至20个碳原子的氟烷基、2个至20个碳原子的氟烷基醚氟烷基、3个至20个碳原子的氟烷基醚氟亚烷基醚氟烷基或6个至20个碳原子的氟芳基，R4和R8各自独立地为氢、氘或乙烯基甲硅烷基，并且A1和A2为氢或6个至20个碳原子的芳基。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 仁荷大学校产学协力团 光刻用抗蚀剂化合物、其形成方法和半导体装置制造方法
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