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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日：2024-03-08
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248547A
主分类号：H01L21/321
分类号：H01L21/321
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明提供一种改善金属层研磨负载的方法，提供衬底，衬底上形成有多层膜层，在膜层上形成有开口图形，形成覆盖开口图形的主体金属层，获取主体金属层研磨至所需高度的监测数据；根据监测数据建立研磨负载模型，研磨负载模型包括折线图，其中：横坐标为研磨时间；纵坐标为主体金属层的凹陷高度；各膜层对应的线段斜率反应了研磨此膜层时对整体主体金属层的修复速度；获取研磨负载模型中的平衡线，平衡线为平行于X轴的一直线，平衡线与折线图终点之间的距离用于表征研磨负载的大小；根据负载模型改变工艺参数，使得平衡线与折线图终点之间的距离减小。本发明能够在膜层设计阶段就开始介入，可以有效减小每层膜层CMP后的负载。
主权项：1.一种改善金属层研磨负载的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有多层膜层，在所述膜层上形成有开口图形，形成覆盖所述开口图形的主体金属层，获取所述主体金属层研磨至所需高度的监测数据；步骤二、根据所述监测数据建立研磨负载模型，所述研磨负载模型包括折线图，其中：横坐标为研磨时间；纵坐标为所述主体金属层的凹陷高度；各所述膜层对应的线段斜率反应了研磨此所述膜层时对整体所述主体金属层的修复速度；步骤三、获取所述研磨负载模型中的平衡线，所述平衡线为平行于X轴的一直线，所述平衡线与所述折线图终点之间的距离用于表征研磨负载的大小；步骤四、根据所述负载模型改变工艺参数，使得所述平衡线与所述折线图终点之间的距离减小。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 改善金属层研磨负载的方法
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