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申请/专利权人：SPTS科技有限公司
申请日：2023-08-30
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248542A
主分类号：H01L21/311
分类号：H01L21/311;H01L21/67;H01J37/32
优先权：["20221222 GB 2219567.1"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明提供等离子体蚀刻含添加剂的氮化铝薄膜的方法，含添加剂的氮化铝薄膜含有选自钪Sc、钇Y或铒Er的添加剂元素，包括以下步骤：将工件置于等离子体腔室内的衬底支撑件上，工件包括上面沉积含添加剂的氮化铝薄膜的衬底及安置在含添加剂的氮化铝薄膜上的掩模，掩模界定至少一个沟槽；用以sccm为单位的BCl3流动速率将BCl3气体引入腔室；用以sccm为单位的Cl2流动速率将Cl2气体引入腔室；用以sccm为单位的惰性稀释气体流动速率将惰性稀释气体引入腔室；及在腔室内建立等离子体以等离子体蚀刻暴露在沟槽内的含添加剂的氮化铝薄膜；其中惰性稀释气体流动速率和BCl3与Cl2流动速率的和的比率在0.45:1到0.75:1范围内，且BCl3流动速率与Cl2流动速率的比率在0.75:1到1.25:1范围内。
主权项：1.一种等离子体蚀刻含添加剂的氮化铝薄膜的方法，所述含添加剂的氮化铝薄膜含有选自钪Sc、钇Y或铒Er的添加剂元素，所述方法包括以下步骤：将工件放置于等离子体腔室内的衬底支撑件上，所述工件包括上面沉积有含添加剂的氮化铝薄膜的衬底以及安置在所述含添加剂的氮化铝薄膜上的掩模，所述掩模界定至少一个沟槽；用以sccm为单位的BCl3流动速率将BCl3气体引入到所述腔室中；用以sccm为单位的Cl2流动速率将Cl2气体引入到所述腔室中；用以sccm为单位的惰性稀释气体流动速率将惰性稀释气体引入到所述腔室中；及在所述腔室内建立等离子体以等离子体蚀刻被暴露在所述沟槽内的所述含添加剂的氮化铝薄膜；其中所述惰性稀释气体流动速率和所述BCl3流动速率与所述Cl2流动速率的和的比率在0.45:1到0.75:1的范围内，且所述BCl3流动速率与所述Cl2流动速率的比率在0.75:1到1.25:1的范围内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： SPTS科技有限公司 等离子体蚀刻方法
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