龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日：2021-02-01
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN114843270B
主分类号：H10B12/00
分类号：H10B12/00;H01L21/762;H01L21/764;H01L21/768;H01L23/532
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2022.08.19#实质审查的生效;2022.08.02#公开
摘要：本发明提供一种动态随机存取存储器及其制造方法。此动态随机存取存储器包括埋入式字线、位线、位线接触结构、电容接触结构及气隙结构。埋入式字线形成于基板中，且沿着第一方向延伸。位线形成于基板上，且沿着第二方向延伸。位线接触结构形成于位线下方。电容接触结构相邻于位线，且受到气隙结构所环绕。气隙结构包括第一气隙及第二气隙分别位于电容接触结构的第一侧及第二侧。第一气隙暴露出位于基板中的浅沟隔离结构。第二气隙暴露出基板的顶表面。本发明可明显降低位线与电容接触结构之间的寄生电容。延伸进入浅沟隔离结构中的气隙结构，有利于降低位线接触结构与电容接触结构的电阻值，并且能够更进一步降低寄生电容。
主权项：1.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括：一埋入式字线，形成于一基板中，其中所述埋入式字线沿着一第一方向延伸；一位线，形成于所述基板上，其中所述位线沿着与所述第一方向垂直的一第二方向延伸；一位线接触结构，形成于所述位线下方；一电容接触结构，相邻于所述位线；以及一气隙结构，环绕所述电容接触结构，其中所述气隙结构包括：一第一气隙，位于所述电容接触结构的一第一侧，其中所述第一气隙暴露出位于所述基板中的一浅沟隔离结构；以及一第二气隙，位于所述电容接触结构的一第二侧，其中所述第二气隙暴露出所述基板的一顶表面，其中所述第一气隙在所述浅沟隔离结构中的宽度大于所述第二气隙在所述基板上的宽度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华邦电子股份有限公司 动态随机存取存储器及其制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号