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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种半导体器件包括：衬底，包括单元区域和外围电路区域；有源区域；单元字线，在单元区域内沿第一水平方向延伸跨过有源区域；单元位线，在单元区域中沿与第一水平方向交叉的第二水平方向延伸；外围电路栅极结构，在衬底上沿第二水平方向延伸；外围电路间隔物结构，设置在外围电路栅极结构的侧壁上；外围电路蚀刻停止层，设置在衬底上，并且与外围电路栅极结构和外围电路间隔物结构分离；以及外围电路接触部，通过贯穿外围电路蚀刻停止层而连接到衬底。外围电路蚀刻停止层具有位于外围电路接触部和外围电路间隔物结构之间的端部。
主权项：1.一种半导体器件，包括：衬底，包括单元区域和外围电路区域；有源区域，在所述单元区域中由所述衬底中的器件隔离层限定；单元字线，在所述单元区域中在所述衬底内沿第一水平方向延伸跨过所述有源区域；单元位线，在所述单元区域中在所述衬底上沿与所述第一水平方向交叉的第二水平方向延伸；外围电路栅极结构，在所述外围电路区域中在所述衬底上沿所述第二水平方向延伸；外围电路间隔物结构，设置在所述外围电路栅极结构的侧壁上；外围电路蚀刻停止层，在所述外围电路区域中设置在所述衬底上，并且与所述外围电路栅极结构和所述外围电路间隔物结构分离；以及外围电路接触部，通过在竖直方向上贯穿所述外围电路蚀刻停止层而连接到所述衬底的所述外围电路区域，其中，所述外围电路间隔物结构包括氮化物，并且所述外围电路蚀刻停止层具有位于所述外围电路接触部和所述外围电路间隔物结构之间的端部。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 包括外围电路器件的半导体器件
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