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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种半导体存储器件，包括：多个结构，包括沿竖直方向交替地堆叠的多个绝缘层和多个半导体层，该多个结构在水平方向上彼此间隔开；层间绝缘层，在多个结构之间；多个栅电极，在多个结构之间并且分别在沿竖直方向穿过层间绝缘层的多个栅极沟槽中，多个栅电极连接到多个半导体层；以及多个竖直绝缘层，分别在多个栅极沟槽的侧壁上，其中，每个栅电极包括多个第一部分和多个第二部分，多个第一部分在水平方向上与多个绝缘层重叠，多个第二部分在水平方向上与多个半导体层重叠，并且每个第一部分在水平方向上的第一宽度大于每个第二部分在水平方向上的第二宽度。
主权项：1.一种半导体存储器件，包括：多个结构，包括沿竖直方向交替地堆叠的多个绝缘层和多个半导体层，所述多个结构在水平方向上彼此间隔开；层间绝缘层，在所述多个结构之间；多个栅电极，在所述多个结构之间并且分别在沿所述竖直方向穿过所述层间绝缘层的多个栅极沟槽中，所述多个栅电极连接到所述多个半导体层；以及多个竖直绝缘层，分别在所述多个栅极沟槽的侧壁上，其中：所述多个栅电极中的每个栅电极包括多个第一部分和多个第二部分，所述多个第一部分在所述水平方向上与所述多个绝缘层重叠，所述多个第二部分在所述水平方向上与所述多个半导体层重叠，并且所述多个第一部分中的每个第一部分在所述水平方向上的第一宽度大于所述多个第二部分中的每个第二部分在所述水平方向上的第二宽度。
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