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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：本申请涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括：支撑件，其包括多个台阶；栅极结构，其包括层叠在支撑件上的栅极线，其中栅极线包括焊盘，并且焊盘设置在多个台阶上方；第一接触插塞，其连接到焊盘；以及沟道结构，其延伸穿过栅极结构。
主权项：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：支撑件，所述支撑件包括多个台阶；栅极结构，所述栅极结构包括层叠在所述支撑件上的栅极线，其中，所述栅极线分别包括焊盘，并且所述焊盘分别设置在所述多个台阶上方；第一接触插塞，所述第一接触插塞分别连接到所述焊盘；以及沟道结构，所述沟道结构延伸穿过所述栅极结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 半导体装置及制造半导体装置的方法
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