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申请/专利权人：硅源公司
摘要：注入离子以在半导体装置中形成劈开层会损害诸如高K电介质的敏感材料。在形成劈开层并修复由离子注入引起的损害的过程中，经由基板的电路层注入离子以形成劈开平面。基板在第一温度下暴露于氢气混合物第一时间，以修复由注入的离子引起的损害。然后可以执行劈开工艺，并且可以将劈开的基板堆叠为3DIC结构。通过将裸片结合到第一基板来形成堆叠装置，其中裸片的宽度小于第一基板的宽度，在裸片上沉积平坦化材料，将该平坦化材料平坦化以形成平坦化上表面，并在平坦化上表面上堆叠第三基板。
主权项：1.一种三维集成电路（3DIC）的形成方法，所述方法包括：提供具有电路层的第一基板，所述电路层包括多个介电结构和多个导电结构；经由所述电路层将离子注入到所述第一基板中以在所述电路层的下方形成劈开平面；在经由所述电路层注入所述离子之后，将所述第一基板在第一温度下暴露于氢气混合物第一时间以修复由注入的所述离子引起的对所述电路层的损害；通过在所述劈开平面处劈开，使所述第一基板的第一部分与所述第一基板的第二部分分离，在所述第一基板的所述第一部分上设置有所述多个介电结构和所述多个导电结构；以及将所述第一基板的所述第一部分结合到第二基板。
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