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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
摘要：一种SiCVDMOSFET器件及制备方法，涉及半导体技术领域。在SiCVDMOSFET器件中，将原本的栅极通过金属分离开成为两个独立的栅极，并在底部的SiC表面通过注入形成P区，通过采用P区对栅氧化层进行保护，并且P区上表面通过与金属形成欧姆接触从而实现了接地处理，因此更进一步提高了其保护能力，从而提高了器件的栅氧层使用可靠性。此外，分离的栅极也降低了器件的栅漏电容，从而提高了器件的开关特性。
主权项：1.一种SiCVDMOSFET器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S100，在Sub层（1）上外延生长一层外延Epi层（2）；S200，在Epi层（2）的上表面通过离子注入形成P-body区（3）；S300，在Epi层（2）的上表面通过离子注入形成NP区（4）；S400，在Epi层（2）的上表面通过离子注入形成PP区（5），之后通过高温激活扩散使注入区完全形成；S500，在Epi层（2）的顶面通过干氧氧化生长一层栅氧层（6）；S600，在栅氧层（6）的顶面通过多晶硅淀积形成一层Poly层（7），作VDMOSFET器件的栅电极；S700，在Epi层（2）和Poly层（7）的顶面通过氧化物淀积形成一层介质层（8），作隔离作用；S800，在Epi层（2）的顶面溅射形成一层Ni金属层，再通过合金化快速热退火使两者形成正面欧姆合金层（9）；S900，在介质层（8）和正面欧姆合金层（9）的顶面通过TiAlCu金属溅射方式形成一层正面电极金属层（10），作VDMOSFET器件的源电极；S1000，在Sub层（1）的底面通过Ni金属溅射形成一层Ni金属层，再通过激光退火使Sub层（1）和Ni金属层形成背面欧姆合金层（11）；S1100，在背面欧姆合金层（11）底面通过TiNiAg金属蒸发方式形成一层背面电极金属（12），作VDMOSFET器件的漏电极。
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