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半导体晶圆的制造方法 

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申请/专利权人:佳霖科技股份有限公司

摘要:本申请提供一种半导体晶圆的制造方法,包括:提供晶圆和支撑基板,其中所述晶圆包含第一部分和第二部分;在所述支撑基板的表面形成分离层;键合所述支撑基板与所述晶圆,其中所述分离层形成在所述支撑基板与所述晶圆之间;对键合的所述支撑基板与所述晶圆进行智能切割处理以去除所述晶圆的所述第一部分;以及通过所述分离层将所述支撑基板与所述晶圆的所述第二部分分离。本申请通过预先设置的分离层将进行智能切割后的支撑基板与晶圆分离,故可在晶圆的相对两表面进行对应的工艺,以及降低生产成本。

主权项:1.一种半导体晶圆的制造方法,其特征在于,包括:提供晶圆和支撑基板,其中所述晶圆包含第一部分和第二部分;在所述支撑基板的表面形成分离层;键合所述支撑基板与所述晶圆,其中所述分离层形成在所述支撑基板与所述晶圆之间;对键合的所述支撑基板与所述晶圆进行智能切割处理以去除所述晶圆的所述第一部分;以及通过所述分离层将所述支撑基板与所述晶圆的所述第二部分分离。

全文数据:

权利要求:

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