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申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
摘要：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种抗雪崩平面超结MOSFET及其制备方法、芯片，通过在第一P型基区与第一N型源区之间设置凹形的第一介质层，在第二P型基区与第二N型源区之间设置凹形的第二介质层，并且第一N型源区和第二N型源区为T型结构，第一N型源区的垂直部位于第一介质层的凹槽内，且第一N型源区的水平部与第一P型基区接触，第二N型源区的垂直部位于第二介质层的凹槽内，且第二N型源区的水平部与第二P型基区接触，从而抑制器件内寄生的BJT导通，抑制了N型源区和P型基区之间的导通，提升了平面SJMOS的抗雪崩能力和可靠性。
主权项：1.一种抗雪崩平面超结MOSFET，其特征在于，包括：N型衬底；第一P柱、N型漂移层、第二P柱，形成于所述N型衬底的正面；其中，所述N型漂移层位于所述第一P柱与所述第二P柱之间；第一P型基区、第二P型基区，所述第一P型基区形成于所述第一P柱上，所述第二P型基区形成于所述第二P柱上；缓冲区，形成于所述N型漂移层上，且位于所述第一P型基区与所述第二P型基区之间；第一介质层、第二介质层，所述第一介质层位于所述第一P型基区的凹槽的底部和侧壁，所述第二介质层位于所述第二P型基区的凹槽的底部和侧壁；第一N型源区、第二N型源区，所述第一N型源区和所述第二N型源区为T型结构，所述第一N型源区的垂直部位于所述第一介质层的凹槽内，且所述第一N型源区的水平部与所述第一P型基区接触，所述第二N型源区的垂直部位于所述第二介质层的凹槽内，且所述第二N型源区的水平部与所述第二P型基区接触；栅极介质层、栅极多晶硅层，所述栅极介质层形成于所述缓冲区、所述第一P型基区、所述第二P型基区上，且所述栅极介质层包裹所述栅极多晶硅层；源极层，形成于所述第一N型源区、所述第二N型源区、所述第一P型基区、所述第二P型基区以及所述栅极介质层的部分区域上；漏极层，形成于所述N型衬底的背面。
全文数据：
权利要求：
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