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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要：本发明涉及一种基于侧墙工艺的纳米空气沟道晶体管及其制备方法，从下至上包括栅极及栅极绝缘层、保护层和用于形成侧墙结构的辅助层，还包括以侧墙结构作为硬掩模或牺牲层形成的纳米空气沟道。本发明具有高密度集成的潜力，有利于纳米空气沟道晶体管自身、或与其它类型器件的高密度集成；同时也具有规模化制造潜力，有利于降低生产成本、提高生产效率，具有实用价值和实际应用前景。
主权项：1.一种基于侧墙工艺的纳米空气沟道晶体管，从下至上包括栅极及栅极绝缘层、保护层和用于形成侧墙结构的辅助层，其特征在于：还包括以侧墙结构作为硬掩模或牺牲层形成的纳米空气沟道；所述纳米空气沟道两侧形成阴极和阳极，纳米空气沟道与阴极、阳极处于同一水平面，栅极分布在此平面上、下一侧或两侧；所述阴极、阳极和栅极包括有通过光刻和刻蚀形成的金属接触窗口，所述金属接触窗口中设置金属电极；所述金属电极和阴极、阳极、栅极之间形成欧姆接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种基于侧墙工艺的纳米空气沟道晶体管及其制备方法
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