龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：日月新半导体(威海)有限公司
摘要：本发明涉及一种半导体晶片的封装结构及其形成方法，涉及半导体技术领域，在本发明的半导体晶片的封装结构的形成方法中，形成屏蔽层的具体工艺为：在所述封装树脂层上形成第一金属纳米线层，在第一压力条件下沉积第一金属层，所述第一金属层覆盖所述第一金属纳米线层；在所述第一金属层上形成第二金属纳米线层，接着在第二压力条件下沉积第二金属层，所述第二压力大于所述第一压力，通过上述方法形成的屏蔽层，可以有效提高屏蔽层与封装树脂层的结合力，进而避免屏蔽层剥离。
主权项：1.一种半导体晶片的封装结构的形成方法，其特征在于：所述半导体晶片的封装结构的形成方法包括以下步骤：提供一临时载板，在所述临时载板上设置多个半导体晶片；对多个所述半导体晶片进行封装处理，以形成封装树脂层，所述封装树脂层覆盖所述临时载板和所述半导体晶片；对所述封装树脂层进行切割处理，以形成多个凹槽，相邻所述半导体晶片之间均具有一个凹槽；在所述封装树脂层上形成第一金属纳米线层，所述第一金属纳米线层覆盖所述封装树脂层的上表面以及所述凹槽的侧面；在第一压力条件下沉积第一金属层，所述第一金属层覆盖所述第一金属纳米线层；在所述第一金属层上形成第二金属纳米线层，接着在第二压力条件下沉积第二金属层，以得到屏蔽层，其中，所述第二压力大于所述第一压力；接着进行切割处理并剥离所述临时载板，以形成多个封装体，所述封装体的四周边缘处产生金属毛刺，接着去除所述金属毛刺，去除所述金属毛刺的具体工艺为：对所述封装体的四周边缘区域进行氧离子注入工艺或氮离子注入工艺，使得所述金属毛刺被氧化或氮化，然后通过激光烧蚀工艺去除所述金属氮化物毛刺或所述金属氧化物毛刺；其中，所述氧离子注入工艺或氮离子注入工艺的注入离子为氧离子或氮离子，所述注入离子的注入剂量为2×1011-3×1013cm-2，离子注入能量为10-60keV；其中，所述第一压力为200-1000Pa，所述第二压力为500-2000Pa。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日月新半导体(威海)有限公司 一种半导体晶片的封装结构及其形成方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号