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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括：有源柱组，位于衬底内，有源柱组包括沿第二方向间隔排布的第一有源柱和第二有源柱，第一有源柱和第二有源柱沿第一方向延伸，第一有源柱包括与第二有源柱相对的第一内表面、位于第一内表面之外的第一外表面，第二有源柱包括与第一有源柱相对的第二内表面、位于第二内表面之外的第二外表面；字线组，包括第一字线和第二字线，第一字线环绕第一有源柱的第一外表面分布，第二字线环绕第二有源柱的第二外表面分布；位线，沿第二方向延伸，且电连接有源柱组中的第一有源柱和第二有源柱。本公开减少了半导体结构内部的漏电流，且提高了半导体结构中晶体管的控制性能。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：有源柱组，位于衬底内，所述有源柱组包括沿第二方向间隔排布的第一有源柱和第二有源柱，第一有源柱和第二有源柱沿第一方向延伸；所述第一有源柱包括与所述第二有源柱相对的第一内表面、以及位于所述第一内表面之外的第一外表面，所述第二有源柱包括与所述第一有源柱相对的第二内表面、以及位于所述第二内表面之外的第二外表面，所述第二方向平行于所述衬底的顶面，所述第一方向相交于所述衬底的顶面；字线组，包括沿所述第二方向间隔排布的第一字线和第二字线，所述第一字线环绕所述第一有源柱的所述第一外表面分布，所述第二字线环绕所述第二有源柱的所述第二外表面分布；位线，沿所述第二方向延伸，且所述位线电连接所述有源柱组中的所述第一有源柱和所述第二有源柱。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其形成方法
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