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申请/专利权人：江西萨瑞微电子技术有限公司
摘要：本发明提供一种SGT器件制备方法及外延片，通过在N型衬底上沉积复合层，复合层包括依次沉积的第一子层、第二子层、第三子层以及第四子层；其中，第一子层、第二子层以及第四子层均为均匀掺杂磷的外延层，第三子层为均匀掺杂硼的外延层，第三子层的厚度最小。具体的，采用四层不同掺杂浓度外延的方式，且掺杂磷的外延层与掺杂硼的外延层穿插，有效地调节了电场强度曲线的分布，大大降低了高耐压SGT阱区与EPI形成的PN结处的电场强度，从而降低临近的栅氧化层所承受的电场强度，防止由于栅氧化层长期处于高场强条件下造成的性能衰退，导致MOS管漏电的增大甚至是栅氧化层的击穿，提高器件的可靠性。
主权项：1.一种外延片，其特征在于，用于制备SGT器件，所述外延片包括N型衬底以及沉积于所述N型衬底上的复合层，所述复合层包括依次沉积的第一子层、第二子层、第三子层以及第四子层；其中，所述第一子层、所述第二子层以及所述第四子层均为均匀掺杂磷的外延层，所述第三子层为均匀掺杂硼的外延层，所述第三子层的厚度最小，所述第一子层的厚度为8μm~11μm，所述第二子层的厚度为1μm~3μm，所述第三子层的厚度为0.2μm~0.8μm，所述第四子层的厚度为2μm~5μm；所述第一子层的掺杂浓度为1E14atomscm3~1E15atomscm3，所述第二子层的掺杂浓度为1E16atomscm3~5E16atomscm3，所述第三子层的掺杂浓度为4E16atomscm3~1E17atomscm3，所述第四子层的掺杂浓度为7E15atomscm3~3E16atomscm3。
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权利要求：
百度查询： 江西萨瑞微电子技术有限公司 一种SGT器件制备方法及外延片
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