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申请/专利权人：芯盟科技有限公司
摘要：本申请实施例提供一种U型晶体管阵列及其形成方法、半导体器件及其形成方法，其中，U型晶体管阵列包括分别沿第一方向和第二方向排列的多个U型晶体管；其中，每一U型晶体管包括：沟道区；源极，位于沟道区的第一端；漏极，位于沟道区的第二端，其中，第一端和第二端分别为沟道区在第三方向上相对的两端；第一端与第二端在第一方向上的尺寸不同；源极、沟道区和漏极形成U型结构；栅极，所述沟道区位于所述栅极的任一侧；栅极氧化层，位于沟道区和栅极之间；第一方向与第二方向构成的平面垂直于第三方向；第三方向为形成沟道区的晶圆的厚度方向。
主权项：1.一种U型晶体管阵列，其特征在于，包括：分别沿第一方向和第二方向排列的多个U型晶体管；其中，每一所述U型晶体管包括：沟道区；源极，位于所述沟道区的第一端；漏极，位于所述沟道区的第二端，其中，所述第一端和所述第二端分别为所述沟道区在第三方向上相对的两端；位于所述第一端的源极与位于所述第二端的漏极在所述第一方向上的尺寸不同；所述源极、所述沟道区和所述漏极形成U型结构；所述源极在所述第一方向与所述第二方向构成的平面的正投影和所述漏极在所述第一方向与所述第二方向构成的平面的正投影至少部分重叠；栅极，所述沟道区位于所述栅极的任一侧；栅极氧化层，位于所述沟道区和所述栅极之间；所述第一方向与所述第二方向构成的平面垂直于所述第三方向；所述第三方向为形成所述沟道区的晶圆的厚度方向。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯盟科技有限公司 U型晶体管阵列及其形成方法、半导体器件及其形成方法
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