龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
申请日：2023-10-11
公开（公告）日：2024-02-06
公开（公告）号：CN117517367A
主分类号：G01N23/207
分类号：G01N23/207;G01N23/20008;G01N1/28;G01N1/32
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.02.27#实质审查的生效;2024.02.06#公开
摘要：本发明公开了一种111晶向硅单晶小平面的检测方法。所述方法包括：1原生111晶向硅单晶拉制完成后截取一定厚度的样品；2对样品进行表面研磨处理获得平整的表面；3对研磨后的样品进行化学腐蚀去除表面机械损伤；4对样品进行晶向及棱线位置定位；5使用X射线衍射仪对定位后的样品进行X射线衍射位置测定，转动X射线光源进行ω方向扫描，确定衍射位置后进行测试，6对测试结果进行判定，确定小平面的位置和大小。本发明实施的检测方法，可以快速实现原生111晶向硅单晶小平面的检测，本发明检测方法操作简便易实现，检测111晶向硅单晶小平面直观化，对于改善111晶向硅单晶径向电阻率均匀性有重要意义。
主权项：1.一种111晶向硅单晶小平面的检测方法，其特征在于，该检测方法包括以下步骤：1原生111晶向硅单晶拉制完成后截取一定厚度的样品；2对样品进行表面研磨处理获得平整的表面；3对研磨后的样品进行化学腐蚀去除表面机械损伤；4对样品进行晶向及棱线位置定位，使用111硅单晶片定位装置将样品在测试工作台上进行晶向及棱线定位；5使用X射线衍射仪对定位后的样品进行X射线衍射位置测定，转动X射线光源进行ω方向扫描，确定衍射位置后进行测试，6对测试结果进行判定，确定小平面的位置和大小。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司 一种<111>晶向硅单晶小平面的检测方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号