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申请/专利权人：曾泽斌
申请日：2024-02-08
公开（公告）日：2024-05-24
公开（公告）号：CN118064968A
主分类号：C30B25/02
分类号：C30B25/02;H01L21/67;C30B25/12;C30B29/40;C30B29/36;C23C16/458
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.11#实质审查的生效;2024.05.24#公开
摘要：本发明公开了在碳化硅衬底片生长外延层的感应加热外延炉及生长方法。感应加热外延炉依次为装片腔、传输腔、圆柱形石英腔；传输腔的一侧设有冷却腔，传输腔内设有叉形机械手；圆柱形石英腔的右端设有氢气与外延生长气进气口和进气端法兰，圆柱形石英腔的左端设有法兰和装片通道；圆柱形石英腔外设有感应线圈；圆柱形石英腔的中部上方设有托柄旋转升降装置、转轴，转轴穿过感应线圈和圆柱形石英腔，转轴的下端固定托柄；托柄下方依次设有基座、下部感应加热环；托柄的下端连接承载环，托柄端面边沿设有上钩。本发明有效解决了碳化硅外延片制作过程中容易产生包裹物缺陷的难题，提高了外延片的电阻率和厚度均匀性。
主权项：1.一种在碳化硅衬底片生长外延层的感应加热外延炉，其特征是，从左到右依次为装片腔（3）、传输腔（5）、圆柱形石英腔（13）；传输腔（5）的一侧设有冷却腔（1），装片腔（3）内设有片座一（4），冷却腔（1）内设有片座二（2），传输腔（5）内设有叉形机械手（6）；圆柱形石英腔（1）的右端设有氢气与外延生长气进气口（10）和进气端法兰（23），圆柱形石英腔（13）的左端设有法兰（8）和装片通道（9），装片通道（9）的下部设有排气口（32）；圆柱形石英腔（13）外设有感应线圈（12）；圆柱形石英腔（13）的中部上方设有托柄旋转升降装置（15）、转轴（17），转轴（17）穿过感应线圈（12）和圆柱形石英腔（13），转轴（17）的下端固定托柄（18），托柄（18）穿过上部感应加热环（19）；托柄（18）下方依次设有基座（11）、下部感应加热环（27）；上部感应加热环（19）、基座（11）、下部感应加热环（27）围成了外延生长区（29）；托柄（18）的下端连接承载环（30），外延生长过程中衬底片（28）放置在承载环（30）上，其用于外延生长的抛光正面（38）朝下，托柄（18）端面边沿设有上钩（20），用于钩住承载环（30）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 曾泽斌 在碳化硅衬底片生长外延层的感应加热外延炉及生长方法
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