首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

【发明公布】用于碳化硅衬底片的电阻式加热外延炉及外延生长方法_曾泽斌_202410410551.9 

申请/专利权人:曾泽斌

申请日:2024-04-08

公开(公告)日:2024-05-31

公开(公告)号:CN118109901A

主分类号:C30B25/18

分类号:C30B25/18;C30B25/12;C30B25/16;C30B29/36

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.06.18#实质审查的生效;2024.05.31#公开

摘要:本发明公开了一种用于碳化硅衬底片的电阻式加热外延炉及外延生长方法。外延炉从左到右依次为装片腔、传输腔、生长室;装片腔内设有片座一,传输腔内设有机械手,连接颈内设有装片通道;生长室从上到下分为上炉体、下炉体;上炉体和或下炉体内至少设有一个电阻加热器;所述的下炉体外壁设有氢气与外延生长气进气口和出气口,与外延生长区相连通;上炉体的上方设有转轴旋转装置,转轴旋转装置下方设有转轴,转轴旋转装置与转轴升降装置相连,转轴升降装置与上立柱相连;下炉体的左侧壁开孔,设有连接颈,形成装片通道。本发明有效解决了碳化硅外延片制作过程中容易产生包裹物缺陷的难题,提高了外延片的电阻率和厚度均匀性。

主权项:1.一种用于碳化硅衬底片的电阻式加热外延炉,其特征是,从左到右依次为装片腔(3)、传输腔(5)、生长室(15);装片腔(3)内设有片座一(4),传输腔(5)内设有机械手(6),连接颈(16)内设有装片通道(9);生长室(15)从上到下分为上炉体(20)、下炉体(17);上炉体(20)和或下炉体(17)内至少设有一个电阻加热器;所述的下炉体(17)外壁设有氢气与外延生长气进气口(10)和出气口(14),与外延生长区(23)相连通;上炉体(20)的上方设有转轴旋转装置(26),转轴旋转装置(26)下方设有转轴(25),转轴旋转装置(26)与转轴升降装置(27)相连,转轴升降装置(27)与上立柱(28)相连,上立柱(28)位于上炉体(20)的上表面;下炉体(17)的左侧壁开孔,设有连接颈(16),形成装片通道(9),装片通道(9)与外延生长区(23)相连通;连接颈(16)的外端设有生长室法兰(8),生长室法兰(8)与传输腔法兰(7)相连。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 曾泽斌 用于碳化硅衬底片的电阻式加热外延炉及外延生长方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。