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申请/专利权人：南京大学
申请日：2024-03-27
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118156304A
主分类号：H01L29/778
分类号：H01L29/778;H01L29/423;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/335
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.25#实质审查的生效;2024.06.07#公开
摘要：本发明公开了一种引入p‑NiORESURF和场板结构的硅基HEMT器件及其制备方法，引入较低浓度的p‑NiORESURF和场板混合的终端结构，其与p‑NiO栅电连接，这种新结构可以实现高击穿电压和低特定导通电阻。通过选择性面积再生，可以采用无刻蚀工艺沉积p‑NiORESURF结构，避免了干法刻蚀引起的界面损伤。通常p‑NiORESURF层的引入会耗尽底层的2DEG，导致输出电流降低。我们将p‑NiORESURF层连接到栅极上，利用栅极正电压产生的场效应来恢复电子浓度从而增加输出电流。当栅极施加负电压时，在RESURF中形成耗尽区，从而实现高击穿电压。
主权项：1.一种引入p-NiORESURF和场板结构的HEMT器件，其特征在于其结构包括：一AlGaNGaN外延片，在AlGaN层与GaN层之间存在二维电子气；设置在AlGaNGaN外延片的AlGaN层上的源极和漏极；设置在AlGaN层上的p+-NiO栅结构，栅极位于p+-NiO结构上；设置在AlGaN层上的p--NiORESURF结构，并在介质层上扩展了p-NiO场板结构；所述p--NiORESURF和场板结构与p+-NiO栅极电连接；设置在AlGaN层上的介质层，所述介质层将p-NiORESURF结构与源极和漏极隔离开。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京大学 引入p-NiO RESURF和场板结构的HEMT器件及其制备方法
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