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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日：2022-03-07
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN116782658B
主分类号：H10B43/30
分类号：H10B43/30;H10B51/30
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.07#授权;2023.10.10#实质审查的生效;2023.09.19#公开
摘要：本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述半导体结构包括：栅极介质层；栅极，所述栅极位于所述栅极介质层的表面；其中，所述栅极介质层包括依次堆叠的氧化层、电荷捕获层和隔离层；所述隔离层由能够发生自发极化的极化材料构成。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：栅极介质层；栅极，所述栅极位于所述栅极介质层的表面；其中，所述栅极介质层包括依次堆叠的氧化层、电荷捕获层和隔离层；所述隔离层由能够发生自发极化的极化材料构成；所述半导体结构还包括多个阱区；每一所述阱区包括多个相互隔离的有源柱；所述栅极介质层和所述栅极依次环形围绕部分所述有源柱，所述栅极介质层与所述栅极的顶表面平齐，且所述有源柱的顶表面超出于所述栅极介质层的顶表面，超出部分的所述有源柱作为晶体管的源极或漏极；每一个所述有源柱之间的空隙底部填充有绝缘材料，所述栅极介质层和所述栅极被所述绝缘材料与所述阱区隔离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其形成方法
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