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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2024-01-17
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118173533A
主分类号：H01L23/538
分类号：H01L23/538;H01L23/498;H01L21/768;H01L21/48
优先权：["20230207 US 63/443,861","20230524 US 18/322,735"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.11#公开
摘要：半导体结构包括中介层，其包括集成被动装置；晶粒侧重布线结构；第一中介层上凸块结构；以及第二中介层上凸块结构。第一晶粒侧重布线的布线内连线电性连接集成被动装置中的电性节点至第一中介层上凸块结构。第二晶粒侧重布线的布线内连线提供个别的电性连接于个别成对的第二中介层上凸块结构之间。第一半导体晶粒包括第一与第二晶粒上凸块结构，其经由第一与第二焊料材料部分接合至第一与第二中介层上凸块结构。第一半导体晶粒包括第一金属内连线结构提供电性连接于个别的第一中介层上凸块结构与个别的第二中介层上凸块结构之间。
主权项：1.一种半导体结构，包括：一中介层，包括：一集成被动装置；一晶粒侧重布线结构；多个第一中介层上凸块结构；以及多个第二中介层上凸块结构，其中该晶粒侧重布线结构包括多个第一晶粒侧重布线的布线内连线电性连接该集成被动装置中的多个电性节点至所述多个第一中介层上凸块结构，且更包括多个第二晶粒侧重布线的布线内连线以各自提供个别的电性连接于所述多个第二中介层上凸块结构中个别成对的所述多个第二中介层上凸块结构之间；以及一第一半导体晶粒，包括：多个第一晶粒上凸块结构，其经由多个第一焊料材料部分接合至所述多个第一中介层上凸块结构；以及多个第二晶粒上凸块结构，其经由多个第二焊料材料部分接合至所述多个第二中介层上凸块结构，其中该第一半导体晶粒包括多个第一金属内连线结构埋置于多个介电材料层中，并经由个别的所述多个第一焊料材料部分与个别的所述多个第二焊料材料部分提供电性连接于个别的所述多个第一中介层上凸块结构与个别的所述多个第二中介层上凸块结构之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体结构与其形成方法
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