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申请/专利权人：英诺赛科(苏州)半导体有限公司
摘要：一种半导体器件，包括第一III‑V族氮化物基层，第二III‑V族氮化物基层，氮化物基过渡层和氮化物基晶体管。通过施加第一范围内的第一VIII比将第一III‑V族氮化物基层设置在衬底上。通过施加第二范围内的第二VIII比，将第二III‑V族氮化物基层设置在第一III‑V族氮化物基层上，其中第一范围和第二范围相互排斥。氮化物基过渡层设置在第一基于III‑V氮化物的层和第二基于III‑V氮化物的层之间，以连接第一III‑V族氮化物基层和第二III‑V族氮化物基层，其中氮化物基过渡层通过施加在第一范围和第二范围之间的第三范围内的第三VIII比而形成。氮化物基晶体管设置在第二III‑V族氮化物基层上。
主权项：1.一种氮化物基半导体器件，包括：通过施加第一范围内的第一VIII比而设置在衬底上的第一III-V族氮化物基层；通过施加在第二范围内的第二VIII而设置在所述第一III-V族氮化物基层上的第二III-V族氮化物基层，其中所述第一范围和所述第二范围相互排斥；设置在所述第一III-V族氮化物基层和所述第二III-V族氮化物基层之间以将所述第一III-V族氮化物基层与所述第二III-V族氮化物基层连接的氮化物基过渡层，其中所述氮化物基过渡层通过施加在所述第一范围和第二范围之间的第三范围内的第三VIII比而形成；以及设置在第二III-V族氮化物基层上的氮化物基晶体管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英诺赛科(苏州)半导体有限公司 氮化物基半导体器件及其制造方法
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