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申请/专利权人：西部数据技术公司
申请日：2023-05-06
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118202455A
主分类号：H01L21/78
分类号：H01L21/78;H01L21/268;H01L21/304
优先权：["20220615 US 17/841,357"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：一种方法包含通过水平隐形激光照射工艺来使半导体晶片薄化的步骤，以及由此形成的半导体晶片、裸片和装置。在半导体晶片上形成集成电路层之后，可通过将所述晶片的有源表面支撑在旋转卡盘上并在多个循环中将水平定向的激光在旋转晶片内聚焦在不同半径处来使所述晶片薄化。在完成所述多个循环后，随即可移除晶片衬底的一部分，从而使所述晶片薄化到其最终厚度。此后，可执行垂直隐形激光照射工艺以从薄化的晶片切割个别半导体裸片。
主权项：1.一种半导体裸片，其包括：第一主表面；多个集成电路，其形成于所述裸片的所述第一主表面中；第二主表面，其与所述第一主表面相对，所述第二主表面由多个激光产生的局部定点孔限定；以及裸片附接膜DAF层，其覆盖所述第二主表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西部数据技术公司 通过水平隐形激光照射而薄化的半导体晶片
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