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申请/专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日：2018-04-08
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN114695609B
主分类号：H01L33/06
分类号：H01L33/06;H01L33/10;H01L33/14;H01L33/46;H01L33/62
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权;2023.11.10#专利申请权的转移;2022.07.19#实质审查的生效;2022.07.01#公开
摘要：本发明提供一种发光二极管芯片结构及其制作方法，结构包括：衬底；发光外延结构，位于所述衬底上，包括依次层叠的第一导电型半导体层、量子阱层以及第二导电型半导体层；电流扩展层，形成于所述外延结构的部分表面；绝缘层，包裹所述电流扩展层的侧壁，所述绝缘层具有一系列图案化通孔结构；金属层，形成于所述绝缘层表面，所述一部分金属层通过部分通孔结构与所述透明导电层接触，另一部分金属层通过部分通孔结构与所述发光外延结构接触。
主权项：1.发光二极管，其特征在于，包括：发光外延结构，包括依次层叠的第一导电型半导体层、量子阱层以及第二导电型半导体层，所述发光外延结构具有台面结构，所述台面结构显露有第一导电型半导体层的台面以及第一导电型半导体层、量子阱层和第二导电型半导体层的侧壁；电流扩展层，形成于所述发光外延结构的部分表面；绝缘层，形成于所述电流扩展层之上，所述绝缘层具有一系列图案化通孔结构，所述绝缘层的图案化通孔结构包括第一通孔结构和第二通孔结构，所述第一通孔结构位于所述电流扩展层之上且呈阵列分布，所述第二通孔结构位于所述第一通孔结构与所述台面结构之间；金属层，形成于所述绝缘层之上，并且一部分位于所述第一通孔结构之内，一部分位于所述第二通孔内；所述发光二极管为倒装结构或者垂直结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 泉州三安半导体科技有限公司 一种发光二极管芯片结构及其制作方法
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