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申请/专利权人：华为技术有限公司
申请日：2022-02-28
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118215989A
主分类号：H01L21/335
分类号：H01L21/335;H01L29/772;H01L29/768
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本申请实施例提供了一种芯片及其制备方法、射频功率放大器和终端，涉及半导体技术领域，可以确保外延层与源极导电层充分接触。该芯片包括第一晶体管和第二晶体管，该方法包括：在衬底10上形成依次层叠设置的外延层11和源极导电层21；外延层包括第一通孔，以形成第一晶体管的第一外延层101和第二晶体管的第二外延层102。源极导电层包括第一晶体管的第一源极211和第二晶体管的第二源极212。第一源极211的边沿与第一外延层101贴近第一通孔侧的边沿齐平，第二源极212的边沿与第二外延层102贴近第一通孔侧的边沿。在第一通孔中形成第一导电层13；第一导电层13与第一源极211和第二源极212接触；形成第二通孔；在第二通孔中形成第二导电层14，第二导电层14与第一导电层13接触、并接地。
主权项：一种芯片的制备方法，其特征在于，所述芯片包括第一晶体管和第二晶体管，所述芯片的制备方法包括：在衬底上形成依次层叠设置的外延层和源极导电层；所述外延层包括第一通孔，以形成所述第一晶体管的第一外延层和所述第二晶体管的第二外延层；所述源极导电层包括所述第一晶体管的第一源极和所述第二晶体管的第二源极，所述第一源极设置于所述第一外延层背离衬底一侧，所述第二源极设置于所述第二外延层背离衬底一侧；所述第一源极的边沿与所述第一外延层贴近所述第一通孔侧的边沿齐平，所述第二源极的边沿与所述第二外延层贴近所述第一通孔侧的边沿齐平；形成第一导电层；所述第一导电层至少填充于所述第一通孔中，并分别与所述第一源极和所述第二源极接触；在所述衬底中形成第二通孔；所述第二通孔与所述第一通孔至少部分重合；形成第二导电层；所述第二导电层位于所述第二通孔中，所述第二导电层与所述第一导电层接触、并接地。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华为技术有限公司 芯片及其制备方法、射频功率放大器和终端
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