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申请/专利权人：同和电子科技有限公司
申请日：2019-09-25
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN112753108B
主分类号：H01L33/32
分类号：H01L33/32;C23C16/34;H01L21/205;H01L33/14
优先权：["20180928 JP 2018-184555"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2021.05.21#实质审查的生效;2021.05.04#公开
摘要：提供一种III族氮化物半导体发光元件及其制造方法，该III族氮化物半导体发光元件可以抑制发光输出的经时变化，并且具有比以往更优异的发光输出。本发明的III族氮化物半导体发光元件100的发光波长为200nm～350nm，依次具备n型层30、发光层40、电子阻挡层60和p型接触层70，电子阻挡层60具有共掺杂区域层60c，p型接触层60为p型AlxGa1‑xN0≤x≤0.1，p型接触层60的厚度为300nm以上。
主权项：1.一种III族氮化物半导体发光元件，其是发光波长为200nm～350nm的III族氮化物半导体发光元件，其特征在于，依次具备n型层、发光层、电子阻挡层和p型接触层，所述电子阻挡层具有共掺杂区域层，所述p型接触层为p型AlxGa1-xN0≤x≤0.1，所述p型接触层的厚度为500nm以上且1500nm以下。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 同和电子科技有限公司 III族氮化物半导体发光元件及其制造方法
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