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申请/专利权人：英诺赛科(珠海)科技有限公司
申请日：2022-09-27
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118235254A
主分类号：H01L29/778
分类号：H01L29/778
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：一种氮化物基半导体器件，包括第一氮化物基半导体层，第二氮化物基半导体层，源极，漏极，抗蚀刻层以及栅极。第二氮化物基半导体层设置在第一氮化物基半导体层上，并且具有比第一氮化物基半导体层大的带隙。源极和漏极设置在所述第二氮化物基半导体层上。抗蚀刻层设置在第二氮化物基半导体层上。抗蚀刻层与第二氮化物基半导体层接触，并从第二氮化物基半导体层延伸到高于源极和漏极的位置。栅极设置在第二氮化物基半导体层上，并具有底部和在底部上且比底部宽的中间部分。
主权项：1.一种氮化物基半导体器件，包括：第一氮化物基半导体层；第二氮化物基半导体层，其设置在所述第一氮化物基半导体层上并具有比所述第一氮化物基半导体层大的带隙；源极和漏极，其设置在所述第二氮化物基半导体层上；抗蚀刻层，其设置在所述第二氮化物基半导体层上，其中所述抗蚀刻层与所述第二氮化物基半导体层接触并从所述第二氮化物基半导体层延伸至高于所述源极和所述漏极的位置；以及栅极，其设置在所述第二氮化物基半导体层上，并具有底部和在所述底部上且比所述底部宽的中间部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英诺赛科(珠海)科技有限公司 氮化物基半导体器件及其制造方法
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