申请/专利权人：3D-微马克股份公司

申请日：2022-11-07

公开（公告）日：2024-06-21

公开（公告）号：CN118235054A

主分类号：G01R33/00

分类号：G01R33/00;G01R33/09;H10N50/10

优先权：["20211110 DE 102021212669.3"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.21#公开

摘要：在用于从工件150制造具有至少一个xMR传感器元件的xMR磁场传感器的方法中，所述工件具有xMR多层系统的一个或多个层，所述xMR多层系统包括具有参考磁化方向的硬磁参考层，执行编程操作，在所述编程操作中在为了构成xMR传感器元件而设置的传感器区域中设定和或改变所述参考磁化方向的空间取向，其方式是在激光加工操作中在所述传感器区域SB中将所述参考层借助于激光辐射105以局部限制的方式加热到超过阈值温度，将所述参考层的所加热的区域暴露于具有可预先给定的场方向的由磁化装置160提供的外部磁场以用于设定所述参考磁化方向，并且随后将所加热的区域再次冷却到所述阈值温度以下。所述激光加工操作包括掩模投影操作，其中将具有至少一个掩模孔133的掩模130布置在掩模平面132中，所述掩模平面被布置为与所述激光加工操作的加工平面122有距离，用脉动激光辐射的一个或多个激光脉冲照射所述掩模的包含所述掩模孔的区域；以及借助于布置在所述掩模平面和所述加工平面之间的成像物镜140将所述掩模孔的用激光辐射照亮的区域成像到所述加工平面122中。

主权项：1.一种用于从工件150制造具有至少一个xMR传感器元件SE的xMR磁场传感器SENS的方法，所述工件具有xMR多层系统的一个或多个层，所述xMR多层系统包括具有参考磁化方向的至少一个硬磁参考层REF，其中所述方法包括编程操作，在所述编程操作中在为了构成xMR传感器元件而设置的传感器区域SB中设定和或改变所述参考磁化方向的空间取向，其方式是在激光加工操作中在所述传感器区域中将所述参考层借助于激光辐射以局部限制的方式加热到超过阈值温度，将所述参考层的所加热的区域暴露于具有可预先给定的场方向的外部磁场MF以用于设定所述参考磁化方向，并且随后将所加热的区域再次冷却到所述阈值温度以下，其特征在于，所述激光加工操作包括掩模投影操作，其中将具有至少一个掩模孔133的掩模130布置在掩模平面132中，所述掩模平面被布置为与所述激光加工操作的加工平面122有距离；用一个或多个激光脉冲照射所述掩模的包含所述掩模孔的区域；借助于布置在所述掩模平面和所述加工平面之间的成像物镜140将所述掩模孔的用激光辐射照亮的区域成像到所述加工平面122中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 3D-微马克股份公司 用于制造xMR磁场传感器的方法和系统

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