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申请/专利权人：国网江苏省电力有限公司南京供电分公司
申请日：2024-03-27
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118232895A
主分类号：H03K17/081
分类号：H03K17/081;H03K17/687
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开了一种MOSFET过流保护电路和MOSFET器件。该过流保护电路包括：第一电阻、电流检测电路、逻辑比较电路和驱动电路；电流检测电路用于检测流经MOSFET的电流并输出给逻辑比较电路；逻辑比较电路用于根据检测的流经MOSFET的电流判断MOSFET是否发生过流故障，并在未发生过流故障时输出第一电平信号至驱动电路，在发生过流故障时输出第二电平信号至驱动电路；驱动电路用于根据第一电平信号或第二电平信号向MOSFET提供导通或关断所需的驱动信号。通过设置第一电阻、电流检测电路、逻辑比较电路以及驱动电路，实现对MOSFET的过流保护，并当发生过流故障时能够在更短的时间内关断器件，以保护器件。
主权项：1.一种MOSFET过流保护电路，其特征在于，包括：第一电阻、电流检测电路、逻辑比较电路和驱动电路；其中，所述第一电阻的第一端与所述MOSFET的漏极电连接；所述第一电阻的第二端与所述电流检测电路电连接；所述电流检测电路还分别与所述MOSFET和所述逻辑比较电路电连接；所述逻辑比较电路还与所述驱动电路电连接；所述驱动电路还与所述MOSFET的栅极电连接；其中，所述电流检测电路用于检测流经所述MOSFET的电流并输出给所述逻辑比较电路；所述逻辑比较电路用于根据检测的流经所述MOSFET的电流判断所述MOSFET是否发生过流故障，并在未发生过流故障时输出第一电平信号至所述驱动电路，或者，在发生过流故障时输出第二电平信号至所述驱动电路；所述驱动电路用于根据所述第一电平信号或所述第二电平信号向所述MOSFET提供所述MOSFET导通或关断所需的驱动信号。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 国网江苏省电力有限公司南京供电分公司 一种MOSFET过流保护电路和MOSFET器件
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