申请/专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司

申请日：2022-12-20

公开（公告）日：2024-06-21

公开（公告）号：CN118231250A

主分类号：H01L21/331

分类号：H01L21/331;H01L29/36;H01L29/73;H01L29/06;H01L29/30

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.21#公开

摘要：本发明提供一种三极管及其制作方法，包括以下步骤：提供一双面研磨晶圆，形成第一掺杂层于双面研磨晶圆的上表层，形成第二掺杂层于双面研磨晶圆的下表层；去除第一掺杂层；形成电场调节环于双面研磨晶圆的上表层；形成基区于双面研磨晶圆的上表层；形成发射区于基区的上表层，并形成等位环于双面研磨晶圆的上表层；形成电阻层于双面研磨晶圆上方；形成基极、发射极、集电极及终端电极。本发明中，衬底材料使用双磨片，能大幅降低制作成本，同时在三极管的集电极与基极之间集成电阻，可以将电阻阻值提升至3M‑30M的范围，晶体管的CB法向击穿电压可达200V‑1200V的范围，可以满足绝大部分的电源应用，拓展器件的应用范围。

主权项：1.一种三极管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一双面研磨晶圆，形成第一掺杂层于所述双面研磨晶圆的上表层，形成第二掺杂层于所述双面研磨晶圆的下表层，所述双面研磨晶圆、所述第一掺杂层及所述第二掺杂层均为第一导电类型掺杂，且所述第一掺杂层及所述第二掺杂层的掺杂浓度均高于所述双面研磨晶圆的掺杂浓度；去除所述第一掺杂层；形成电场调节环于去除所述第一掺杂层后的所述双面研磨晶圆的上表层；形成基区于去除所述第一掺杂层后的所述双面研磨晶圆的上表层，所述电场调节环环绕于所述基区四周，所述基区与所述电场调节环均为第二导电类型，且所述基区的掺杂浓度高于所述电场调节环的掺杂浓度；形成发射区于所述基区的上表层，并形成等位环于去除所述第一掺杂层后的所述双面研磨晶圆的上表层，所述等位环环绕于所述电场调节环四周并与所述电场调节环间隔预设距离，所述发射区及所述等位环均为第一导电类型掺杂，所述发射区及所述等位环的掺杂浓度均高于所述双面研磨晶圆的掺杂浓度；形成电阻层于去除所述第一掺杂层后的所述双面研磨晶圆上方，所述电阻层的下表面与去除所述第一掺杂层后的所述双面研磨晶圆的上表面之间通过绝缘层间隔；形成基极、发射极、集电极及终端电极，所述基极位于所述基区上方并与所述基区电连接，所述发射极位于所述发射区上方并与所述发射区电连接，所述集电极位于所述第二掺杂层下方并与所述第二掺杂层电连接，所述终端电极位于所述等位环上方并与所述等位环电连接，所述电阻层的一端与所述终端电极电连接，所述电阻层的另一端与所述基极电连接。

全文数据：

权利要求：

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