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申请/专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
申请日：2024-02-28
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231248A
主分类号：H01L21/329
分类号：H01L21/329;H01L29/861;H01L21/265
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开一种低钳位电压单向TVS器件结构，属于ESD防护器件领域。提供衬底，在所述衬底的正面依次形成外延层和场氧层；在所述场氧层的正面通过光罩定义出P区物理区域，注入掺杂元素；注入完成后，在表面沉积BSG层+USG层，在P区物理区域通过高温条件下进行扩散形成P区；在BSG层和USG层上开孔形成欧姆接触区；在所述衬底的正面淀积金属形成正面电极，减薄衬底的背面后淀积多层金属形成背面电极。本发明增加了BSG层作为部分掺杂离子源，在浅层形成P+区，降低器件动态内阻和钳位电压；同时可以降低离子注入所需剂量，节省离子注入工艺的物料和时间成本，降低制造成本。
主权项：1.一种低钳位电压单向TVS器件结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底的正面依次形成外延层和场氧层；在所述场氧层的正面通过光罩定义出P区物理区域，注入掺杂元素；注入完成后，在表面沉积BSG层+USG层，在P区物理区域通过高温条件下进行扩散形成P区；在BSG层和USG层上开孔形成欧姆接触区；在所述衬底的正面淀积金属形成正面电极，减薄衬底的背面后淀积多层金属形成背面电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡中微晶园电子有限公司 一种低钳位电压单向TVS器件结构及其制备方法
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