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【发明授权】一种降低TVS漏电流的钝化工艺_江苏晟驰微电子有限公司_202410425915.0 

申请/专利权人:江苏晟驰微电子有限公司

申请日:2024-04-10

公开(公告)日:2024-06-18

公开(公告)号:CN118039500B

主分类号:H01L21/56

分类号:H01L21/56;H01L21/66;H01L21/324;H01L21/329;H01L29/861

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.18#授权;2024.05.31#实质审查的生效;2024.05.14#公开

摘要:本发明公开了一种降低TVS漏电流的钝化工艺,涉及降低TVS漏电流的钝化工艺技术领域,包括预处理、钝化处理、退火处理、后续处理和性能测试,所述预处理确保TVS器件表面清洁无污染。本发明通过利用温度传感器对钝化过程中的温度进行实时监测,并用膜厚检测仪对TVS表面所生成的薄膜厚度进行监测,然后数据处理对监测到的温度、膜厚数据进行数据清洗,将数据中存在的错误或异常进行纠正然后反馈调节进一步对处理后的数据利用机器学习算法进行处理,找出最佳钝化温度,并生成反馈建议,之后自适应控制根据反馈调节给出的反馈建议对钝化过程中的温度进行调节,便于通过钝化处理生成均匀致密的薄膜。

主权项:1.一种降低TVS漏电流的钝化工艺,其特征在于:包括预处理、钝化处理、退火处理、后续处理和性能测试,所述预处理确保TVS器件表面清洁无污染,所述钝化处理利用沉积技术在预处理后的TVS表面形成双层膜结构,所述退火处理将经过钝化处理的TVS在高温下进行退火,所述后续处理在退火处理后,负责去除膜表面存在的杂质,所述性能测试负责对经过钝化处理的TVS进行测试,验证是否降低了TVS的漏电流;所述钝化处理包括一次钝化和二次钝化,所述一次钝化通过CVD技术生成SIPOS膜,所述二次钝化利用LPCVD技术生出SIO2膜,所述一次钝化和二次钝化均包括参数检测、数据处理、反馈调节和自适应控制,所述参数检测利用传感器对所形成膜的厚度进行测量及实时监测钝化中的温度,所述数据处理对监测到的膜厚和温度数据进行清洗、纠正和分析,所述反馈调节利用机器学习算法对处理后的数据进行进一步处理,并生成反馈建议,所述自适应控制根据生成的反馈建议自动控制钝化温度及钝化时间;所述后续处理包括冲洗、干燥和废液处理,所述冲洗用于去除膜表面存在的污染物和杂质,所述干燥负责去除膜表面和内部残留的水分,所述废液处理利用环保处理手段对生产过程中的废液进行处理,以免造成环境污染。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 江苏晟驰微电子有限公司 一种降低TVS漏电流的钝化工艺

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