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申请/专利权人：上海晶岳电子有限公司
申请日：2023-05-30
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN116598306B
主分类号：H01L27/02
分类号：H01L27/02;H01L21/8249
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2023.09.01#实质审查的生效;2023.08.15#公开
摘要：本发明提供了一种TVS器件及其制造方法，其中TVS器件包括：基板主体，所述基板主体包括元胞区、触发区和终端区；所述元胞区中形成有MOS管，所述触发区中形成有TVS管；所述基板主体包括第一导电类型的衬底和形成在所述衬底上的异质外延层，所述衬底的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度；所述基板主体上形成有栅极电阻、栅极结构和互连金属；所述栅极结构与所述MOS管的栅极相连接；所述互连金属使所述TVS管的阳极通过所述栅极结构与所述MOS管的栅极相连接；使所述栅极电阻并联于所述TVS管的阳极与所述MOS管的源极之间；使所述MOS的漏极与所述TVS的阴极相连。
主权项：1.一种TVS器件，其特征在于，包括：基板主体，所述基板主体包括元胞区、触发区和终端区；所述元胞区中形成有MOS管，所述触发区中形成有TVS管；所述基板主体包括第一导电类型的衬底和形成在所述衬底上的异质外延层，所述衬底的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度；所述基板主体上形成有栅极电阻、栅极结构和互连金属；所述栅极结构与所述MOS管的栅极相连接；所述互连金属使所述TVS管的阳极通过所述栅极结构与所述MOS管的栅极相连接；使所述栅极电阻并联于所述TVS管的阳极与所述MOS管的源极之间；使所述MOS的漏极与所述TVS的阴极相连。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海晶岳电子有限公司 一种TVS器件及其制造方法
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