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申请/专利权人：美商祥茂光电科技股份有限公司
申请日：2023-11-27
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118232169A
主分类号：H01S5/50
分类号：H01S5/50
优先权：["20221220 US 18/084,896"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：多段半导体光放大器SOA包括至少两个串联的部分—输入侧的输入段和输出侧的输出段—其中输入部分具有较高的光限制也称为高伽马，且输出段具有较低光学限制也称为低伽马。输入段的长度也可比输出段的长度短。多段结构允许分别优化输入侧和输出侧设计，使得输入段提供用于快速增加光功率的高增益段，且输出段提供提高饱和度的低微分增益段。因此，多段半导体光放大器可以在要求较低的输入功率的同时，以较低的信噪比实现较高的输出功率。
主权项：1.一种多段半导体光放大器，其特征在于，包含：一输入段，设置在该半导体光放大器的一输入侧，该输入段具有一第一光学限制因子并提供一第一光学增益；一输出段，设置在该半导体光放大器的一输出侧，该输出段具有一第二光学限制因子并提供一第二光学增益；且其中，该第一光学限制因子高于该第二光学限制因子，且其中该第一光学增益高于该第二光学增益。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美商祥茂光电科技股份有限公司 多段高功率半导体光放大器及其制造方法
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