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申请/专利权人：上海引万光电科技有限公司
申请日：2024-03-06
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118223006A
主分类号：C23C16/455
分类号：C23C16/455;C23C16/52
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，提出一种基于微阀门质量流量控制的半导体及泛半导体用化学气相反应装置及半导体设备。该装置包括：多个喷口，所述喷口与多个微阀门连接，其中通过多个微阀门对通过喷口的气体进行控制，气体通过喷口后流向衬底以进行半导体工艺，其中所述微阀门被配置为调节其开度以调节通过喷口的气体的流量。本发明能够对开孔进行精确、可调的质量流量控制，从而能够使得CVD、PECVD、ALD的沉积均匀性获得大幅度的提高，并且能够缩短ALD工艺的时序循环时间、减少气体驻留、提高成膜速度，使得设备的产能得以提高。同时该喷淋头还可以适用于等离子灰化PlasmaAshing、等离子表面处理、等离子刻蚀等工艺，能够为基于化学和等离子的真空工艺反应腔提供共通的可用装置。
主权项：1.一种基于微阀门质量流量控制的半导体及泛半导体用化学气相反应装置，其特征在于，包括：多个喷口，所述喷口与多个微阀门连接，其中通过多个微阀门对通过喷口的气体进行控制，气体通过喷口后流向衬底以进行半导体工艺，其中所述微阀门被配置为调节其开度以调节通过喷口的气体的流量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海引万光电科技有限公司 一种基于微阀门质量流量控制的半导体及泛半导体用化学气相反应装置及半导体设备
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