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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2019-05-24
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN110854198B
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
优先权：["20180820 KR 10-2018-0096828","20190122 KR 10-2019-0008347"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2021.09.07#实质审查的生效;2020.02.28#公开
摘要：提供了一种逻辑开关器件及其制造方法。逻辑开关器件可以包括与栅电极相邻的畴转变层。畴转变层可以包括铁电材料区域和反铁电材料区域。畴转变层可以是非存储元件。逻辑开关器件可以包括沟道、都连接到沟道的源极和漏极、布置为面对沟道的栅电极、以及提供在沟道和栅电极之间的畴转变层。
主权项：1.一种逻辑开关器件，包括：沟道；源极和漏极，都连接到所述沟道；栅电极，布置为面对所述沟道；以及畴转变层，在所述沟道和所述栅电极之间，其中所述畴转变层是非存储元件并包括至少一个结构，所述至少一个结构包括包含铁电畴的至少一个铁电材料区域和包含反铁电畴的至少一个反铁电材料区域，其中，所述至少一个铁电材料区域与所述至少一个反铁电材料区域相接触，并且所述至少一个铁电材料区域与所述至少一个反铁电材料区域交替布置，并且其中，所述畴转变层根据外部电场在极化变化处具有非磁滞行为特性，其中利用所述至少一个铁电材料区域和所述至少一个反铁电材料区域的电容匹配导致所述非磁滞行为特性，并且通过选择在所述畴转变层中形成的所述至少一个铁电材料区域和所述至少一个反铁电材料区域的体积比来执行所述电容匹配。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 逻辑开关器件及其制造方法
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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