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【发明授权】一种混合驱动的二维MEMS微镜及其制作方法_苏州知芯传感技术有限公司_202011385042.3 

申请/专利权人:苏州知芯传感技术有限公司

申请日:2020-12-01

公开(公告)日:2024-06-21

公开(公告)号:CN112363314B

主分类号:G02B26/08

分类号:G02B26/08

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.21#授权;2021.03.05#实质审查的生效;2021.02.12#公开

摘要:本发明涉及一种混合驱动的二维MEMS微镜及其制作方法,采用全新驱动结构设计,将压电驱动结构和静电驱动结构相结合,实现了混合驱动操作,其中设计基于环形外衬底(1),应用静电驱动结构实现对环形内衬底(2)的驱动,并进一步应用环形内衬底(2)与镜面支撑(3)之间的压电驱动结构,获得对镜面支撑(3)的驱动,驱动电极通过转轴引出,如此实现了混合驱动操作,整个结构能够有效提高驱动效率,并使的驱动角度变大;同时本发明还进一步设计了针对此二维MEMS微镜的制作方法,采用制作工艺,仅需要SOI圆片作为基底层,便可以加工获得所设计的二维MEMS微镜,整个制作过程工艺简单,成品率高,同时整体结构尺寸也会降低,成本得到降低。

主权项:1.一种混合驱动的二维MEMS微镜的制作方法,其特征在于,针对SOI硅片执行如下步骤:步骤A.针对SOI硅片中顶硅层(9)的上表面进行热氧化处理,获得预设厚度的氧化层(10),然后进入步骤B;步骤B.针对SOI硅片中顶硅层(9)的氧化层(10)上表面,由下至上依次生长金属层、PZT层、金属层,并图形化刻蚀获得各个压电复合驱动装置(6),然后进入步骤C;步骤C.针对SOI硅片中顶硅层(9)上表面、非压电复合驱动装置(6)设置区,淀积预设厚度的Au层,并图形化获得镜面反射层(8)、以及各个焊盘(5),然后进入步骤D;步骤D.针对SOI硅片,由底硅层(11)向上,基于图像化进行刻蚀处理,至顶硅层(9)下表面,形成底部空腔,然后进入步骤E;步骤E.针对SOI硅片中顶硅层(9)进行刻蚀,获得环形外衬底(1)与环形内衬底(2)之间的梳齿组结构;混合驱动的二维MEMS微镜包括环形外衬底(1)、环形内衬底(2)、镜面支撑(3);其中,环形内衬底(2)的外径小于环形外衬底(1)的内径,环形内衬底(2)位于环形外衬底(1)内,环形内衬底(2)外周上彼此相对两侧的位置分别通过第一转轴(4)对接环形外衬底(1)内侧边,环形内衬底(2)外周侧边两连接第一转轴(4)的位置之间呈对称分布;环形内衬底(2)外周上彼此相对的两侧边上分别设置梳齿组,该两侧边上分别所设梳齿组相对环形内衬底(2)外周侧边连接两第一转轴(4)的位置连线呈轴对称分布;环形外衬底(1)内侧边上分别对应环形内衬底(2)外周上两梳齿组的位置分别设置梳齿组,环形外衬底(1)内侧边上各梳齿组中各根齿条的投影分别与环形内衬底(2)外周上对应位置梳齿组中各根齿条的投影彼此平行、且彼此相互交错;镜面支撑(3)的边缘对接于环形内衬底(2)的内侧边,镜面支撑(3)的上表面设置镜面反射层(8);环形外衬底(1)上表面设置多个焊盘(5);通过向各个焊盘(5)供电,在环形外衬底(1)内侧边梳齿组中各根齿条与环形内衬底(2)外周对应位置梳齿组中各根齿条之间的相互作用力下,实现环形内衬底(2)相对其外周侧边所连第一转轴(4)的转动,进而获得镜面反射层(8)随镜面支撑(3)的转动;还包括至少两个压电复合驱动装置(6),所述镜面支撑(3)的边缘通过各压电复合驱动装置(6)分别对接所述环形内衬底(2)的内侧边,通过向所述各个焊盘(5)供电,在各压电复合驱动装置(6)的通电驱动下,实现镜面支撑(3)与环形内衬底(2)的相对转动,进而获得镜面反射层(8)随镜面支撑(3)的转动。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 苏州知芯传感技术有限公司 一种混合驱动的二维MEMS微镜及其制作方法

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