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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日：2024-04-01
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248621A
主分类号：H01L21/762
分类号：H01L21/762;H01L29/06
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明提供一种具有深沟槽结构的半导体结构及其制作方法，该制作方法包括以下步骤：提供一衬底；形成第一沟槽于所述衬底中，所述第一沟槽的侧壁与所述第一沟槽的底壁具有第一夹角；形成叠层介质层于所述第一沟槽的内壁以构成第二沟槽，所述第二沟槽的侧壁与所述第二沟槽的底壁具有第二夹角，所述第二夹角大于所述第一夹角。该制作方法通过叠层介质层的制作以改善沟槽的整体形貌，从而实现深沟槽的充分填充以得到性能优良的深沟槽结构，可以用于制作功能不同的深沟槽结构，应用范围广泛，制作方法简单易实现，成本低廉，适于大规模生产。该半导体结构中的深沟槽结构内部充分填充且性能优良，制作成本低廉。
主权项：1.一种具有深沟槽结构的半导体结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底；形成第一沟槽于所述衬底中，所述第一沟槽的侧壁与所述第一沟槽的底壁具有第一夹角；形成叠层介质层于所述第一沟槽的内壁以构成第二沟槽，所述第二沟槽的侧壁与所述第二沟槽的底壁具有第二夹角，所述第二夹角大于所述第一夹角。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 一种具有深沟槽结构的半导体结构及其制作方法
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