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申请/专利权人：北京光智元科技有限公司
申请日：2024-03-22
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248780A
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;H01L31/105
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法和清除残留多晶硅的方法。在半导体装置的制备工艺中清除残留多晶硅的方法一个示例包括：在一衬底上形成一沟槽，所述沟槽的底部为硅层，侧向具有残留的多晶硅层；循环执行下述的氧化步骤和刻蚀步骤直至清除沟槽侧向残留的多晶硅层，所述氧化步骤包括：在所述沟槽的底部通过热氧化工艺形成二氧化硅层，所述刻蚀步骤包括：刻蚀所述沟槽中的所述残留的多晶硅层和二氧化硅层，其中，对多晶硅层的刻蚀速率大于对第三二氧化硅层的刻蚀速率；去除沟槽底部残留的二氧化硅层。由此能够在保证沟槽底部平整的同时保证沟槽两侧无多晶硅残留。
主权项：1.一种半导体装置的制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括位于其顶层的硅层；在所述硅层的表面形成第一二氧化硅层；在所述第一二氧化硅层上沉积并刻蚀形成多晶硅层，在所述第一二氧化硅层之上使用第二二氧化硅层包覆所述多晶硅层；去除预定区域的第二二氧化硅层、多晶硅层、第一二氧化硅层、以及一部分顶层硅层以形成一沟槽；循环执行下述的氧化步骤和刻蚀步骤直至清除沟槽侧向残留的多晶硅层，所述氧化步骤包括：在所述沟槽的底部通过热氧化工艺形成第三二氧化硅层，所述刻蚀步骤包括：刻蚀所述沟槽中的所述残留的多晶硅层和第三二氧化硅层，其中，对多晶硅层的刻蚀速率大于对第三二氧化硅层的刻蚀速率；在清除沟槽侧向残留的多晶硅层之后，去除沟槽底部残留的第三二氧化硅层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京光智元科技有限公司 半导体装置及其制造方法和清除残留多晶硅的方法
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