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申请/专利权人：湖北微化装备科技有限公司
申请日：2024-02-05
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248528A
主分类号：H01L21/02
分类号：H01L21/02;H01L21/66;C30B29/36;C30B33/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明涉及新材料技术领域，尤其涉及一种高纯碳化硅、碳化硅晶圆及其制备方法，本发明通过将硅源和碳素源在高温炉中混合制备碳化硅原料，将碳化硅原料转移至反应室中进行晶圆生长，制得原始碳化硅晶圆，获取原始碳化硅晶圆各区域图像的表面轮廓曲率，划分原始碳化硅晶圆区域类型；获取不平整类型区域的原始碳化硅晶圆表面轮廓高度差值，并进行初次磨削，获取磨削音频，计算磨削表征值，调整磨削次数；获取原始碳化硅晶圆表面粗糙度，调整磨削量；根据磨削后晶圆平面图像计算划痕曲线偏移值，判断是否调整磨削参数并调整磨削装置参数；对原始碳化硅晶圆进行抛光，获得碳化硅晶圆，本发明可提升磨削过程的效率以及碳化硅晶圆的质量。
主权项：1.一种高纯碳化硅、碳化硅晶圆制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，将硅源和碳素源在高温炉中混合制备碳化硅原料，将所述碳化硅原料转移至反应室中进行晶圆生长，制得原始碳化硅晶圆，通过深度图像采集设备获取所述原始碳化硅晶圆图像，将所述原始碳化硅晶圆图像划分为若干区域，获取各区域原始碳化硅晶圆表面轮廓曲率，根据所述原始碳化硅晶圆表面轮廓曲率划分原始碳化硅晶圆区域类型；步骤S2，获取不平整类型区域的原始碳化硅晶圆表面轮廓高度差值，对不平整类型区域的原始碳化硅晶圆进行初次磨削，通过音频采集设备获取磨削过程中的磨削音频，根据轮廓高度差值以及音频的频率计算磨削表征值，根据所述磨削表征值调整磨削次数；步骤S3，通过粗糙度测量设备获取原始碳化硅晶圆表面粗糙度，调整磨削量；步骤S4，获取磨削后平面图像，计算划痕曲线偏移值，判断是否调整磨削参数，根据所述划痕曲线偏移值调整磨削装置主轴转速以及进给速度；步骤S5，对磨削完成后的原始碳化硅晶圆进行抛光，获得碳化硅晶圆。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北微化装备科技有限公司 一种高纯碳化硅、碳化硅晶圆及其制备方法
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