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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
申请日：2024-03-05
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248536A
主分类号：H01L21/28
分类号：H01L21/28;H01L21/027;H01L21/285
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明提供一种沟槽功率器件的制备方法，包括步骤一、提供衬底，在衬底内至少形成一沟槽；采用炉管工艺在沟槽中生长一层薄氧；采用炉管工艺淀积多晶硅填满沟槽；对多晶硅表面进行清洗处理，并在多晶硅表面涂布光刻胶；调整刻蚀参数，对多晶硅和光刻胶进行等比例刻蚀，以在沟槽中形成具有平整形貌的栅极；利用湿法清洗工艺去除刻蚀后的杂质。本发明利用光刻胶台阶覆盖能力，栅极采用多晶硅结合光刻胶共同刻蚀的方式形成，避免了原有栅极多晶硅回刻后凹字形牛角形貌的产生，达到了改变电场分布，改善IGSSR栅极反向漏电的目的。
主权项：1.一种沟槽功率器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、提供衬底，在所述衬底内至少形成一沟槽；步骤二、采用炉管工艺在所述沟槽中生长一层薄氧；步骤三、采用炉管工艺淀积多晶硅填满所述沟槽；步骤四、对所述多晶硅表面进行清洗处理，并在所述多晶硅表面涂布光刻胶；步骤五、调整刻蚀参数，对所述多晶硅和所述光刻胶进行等比例刻蚀，以在所述沟槽中形成具有平整形貌的栅极；步骤六、利用湿法清洗工艺去除刻蚀后的杂质。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 一种沟槽功率器件的制备方法
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