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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
申请日：2024-03-05
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248721A
主分类号：H01L29/40
分类号：H01L29/40;H01L21/28;H01L29/78
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明公开了一种斜坡场板，由填充于场板开口中的第一导电材料层组成。场板开口由第一开口和第二开口横向连接形成。第一开口通过对层间膜的各向异性刻蚀形成且具有由各向异性刻蚀定义的第一和第二侧面。第二开口由对层间膜进行各向同性刻蚀形成，第二开口的第一侧面为第一开口的第二侧面，第二开口的第二侧面具有由各向同性刻蚀所定义的倾斜结构；第二开口的底部表面和第一开口的底部表面相平；第一和第二开口的顶部表面都和层间膜的顶部表面相平。本发明还提供一种斜坡场板的制造方法。本发明实现单侧的倾斜结构，能在对半导体衬底表面区域的电场进行均匀控制的基础上防止出现尖峰电场，消除易击穿区域，提高器件的整体耐压性。
主权项：1.一种斜坡场板，其特征在于：由填充于场板开口中的第一导电材料层组成；所述场板开口形成于半导体衬底上的层间膜的选定区域中；所述场板开口由第一开口和第二开口横向连接形成；所述第一开口通过对所述层间膜的各向异性刻蚀形成，所述第一开口具有由所述各向异性刻蚀定义的第一侧面和第二侧面，所述第一开口的底部表面位于所述层间膜的底部表面之上且所述第一开口的底部表面和所述半导体衬底的顶部表面具有间距；所述第二开口由对所述层间膜进行各向同性刻蚀形成，所述第二开口具有第一侧面和第二侧面；所述第二开口的第一侧面为所述第一开口的第二侧面，所述第二开口的第二侧面具有由所述各向同性刻蚀所定义的倾斜结构；所述第二开口的底部表面和所述第一开口的底部表面相平；所述层间膜的顶部表面平坦，所述第一开口和所述第二开口的顶部表面都和所述层间膜的顶部表面相平；在所述第二开口的第二侧面处，斜坡场板的深度连续变化，用于对所述斜坡场板底部的所述半导体衬底表面区域的电场进行均匀控制，防止出现尖峰电场。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 斜坡场板及其制造方法
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