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申请/专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日：2022-12-12
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN115816261B
主分类号：B24B29/02
分类号：B24B29/02;B24B7/22;B24B49/02;B24B1/00;H01L21/67;H01L21/304
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2023.08.08#著录事项变更;2023.04.07#实质审查的生效;2023.03.21#公开
摘要：本发明提供了一种硅片处理方法及装置，属于半导体制造技术领域。硅片处理方法，包括：划伤检查步骤，用于对平坦度检查合格的硅片进行划伤检查，判断所述硅片是否存在划伤；划伤深度获取步骤，用于如果所述硅片存在划伤，获取所述硅片的划伤深度；处理步骤，用于根据所述硅片的划伤深度确定所述硅片的处理方式，所述处理方式包括以下任一项：返工双面抛光，返工单面抛光，判定为不合格硅片。本发明的技术方案能够有效的减少无用返工且提高返工效率。
主权项：1.一种硅片处理方法，其特征在于，包括：划伤检查步骤，对平坦度检查合格的硅片进行划伤检查，判断所述硅片是否存在划伤；划伤深度获取步骤，如果所述硅片存在划伤，获取所述硅片的划伤深度；处理步骤，根据所述硅片的划伤深度确定所述硅片的处理方式，所述处理方式包括以下任一项：返工双面抛光，返工单面抛光，判定为不合格硅片；所述处理步骤包括：在所述硅片的划伤深度大于第一值时，判定所述硅片为不合格硅片；在所述硅片的划伤深度大于第二值且小于或等于所述第一值时，对所述硅片返工双面抛光；在所述硅片的划伤深度大于第三值且小于或等于所述第二值时，对所述硅片返工单面抛光。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 硅片处理方法及装置
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