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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(天津)有限公司
申请日：2022-12-27
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263121A
主分类号：H01L21/324
分类号：H01L21/324
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底中形成有凹槽；对衬基底进行热处理工艺，用于使基底表面的原子发生迁移，以在凹槽的拐角处获得圆角。本发明实施例提供的半导体结构的形成方法中，在衬基底中形成有凹槽，对基底进行热处理工艺，使基底表面的原子从表面张力较大的凹槽的拐角处向表面张力较小的其他区域移动，相应使得凹槽的拐角变得圆滑，从而使得电荷在上述位置不易聚集，改善了因电荷聚集引起尖端效应而造成的不良影响，进而提高了半导体结构的性能。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底中形成有凹槽；对所述基底进行热处理工艺，用于使所述基底表面的原子发生迁移，以在所述凹槽的拐角处获得圆角。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(天津)有限公司 半导体结构的形成方法
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